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半导体晶圆切割用划片刀
三磨所生产的划片刀刀刃超薄且有超高强度，刀刃厚度最薄规格10-15微米，最厚超过100微米，满足各种街区宽度、晶粒大小的尺寸要求，可以实现对超薄硅晶圆、小晶粒硅晶圆的高品质切割，避免背面崩角或裂片的现象，有效解决背崩难题。
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- 商品名称: 半导体晶圆切割用划片刀
三磨所生产的划片刀刀刃超薄且有超高强度，刀刃厚度最薄规格10-15微米，最厚超过100微米，满足各种街区宽度、晶粒大小的尺寸要求，可以实现对超薄硅晶圆、小晶粒硅晶圆的高品质切割，避免背面崩角或裂片的现象，有效解决背崩难题。<br>
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主要用于半导体制造封测阶段晶圆的划切，以实现单颗芯片之间相互分离。适用于半导体硅晶圆、化合物半导体晶圆（GaAs、GaP等）、氧化物半导体晶圆（LiTaO3 等）等，以及氧化铝陶瓷、EMC（热固性树脂）、PCB（印刷电路板）等各种半导体封装基板。
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采用电铸镍基结合剂工艺，划片刀刀刃具有超高强度，刀刃超薄，满足半导体晶圆窄街区的划切需求。
近年来针对制造红黄光LED芯片的砷化镓晶圆，新开发了专属刀片，最小可切割晶粒尺寸达75x75微米，实现了极高的加工质量，最长切割寿命达2800米，一片刀可划切超过1000万颗发光芯片。
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