解决方案

您的位置：

首页

微波等离子体化学气相沉积系统文本

产品用途：DiaCentre-6K-D碟形腔式MPCVD系统，是生产大尺寸、高品质单晶/多晶金刚石的高性能专用装备。

产品特点：该设备采用碟形腔设计，是目前国内唯一大规模应用的碟形腔式方案，经300余台设备批量应用验证表明，具有成熟、可靠性高、批量一致性好腔体易清洁操作、可避免石英刻蚀污染、等离子体覆盖面积大的突出特点。

产品介绍

详情
产品图片
产品用途
产品特点

商品名称: 微波等离子体化学气相沉积系统文本

产品用途：DiaCentre-6K-D碟形腔式MPCVD系统，是生产大尺寸、高品质单晶/多晶金刚石的高性能专用装备。 <br><br>产品特点：该设备采用碟形腔设计，是目前国内唯一大规模应用的碟形腔式方案，经300余台设备批量应用验证表明，具有成熟、可靠性高、批量一致性好腔体易清洁操作、可避免石英刻蚀污染、等离子体覆盖面积大的突出特点。

NO.1 微波系统 (标配进口6KW微波电源)
微波频率	2.45GHz
微波输出功率	最大6kw，连续调节
功率波动性	≤±10w
三销钉调谐器	手动三销钉
微波泄漏	微波泄漏<<0.5mw/cm²@5cm
参数监控	拥有完善的微波电源状态监控系统：输出功率、反射功率、水温、水流量、湿度、内部和环境温度、高压监控等
NO.2 反应腔及生长基台
反应腔类型	碟形腔式，实现更大的沉积面积与良好的等离子体均匀性
观察窗口 (测温窗口)	7个观察窗(其中1个用于测温)
生长基台直径	水冷式
钼台直径	建议Φ50mm-70mm，根据客户工艺变化
钼台/生长基台间压力调控	自动压力控制，调节范围5Torr~腔压，该功能旨在调控晶种片生长温度
NO.3 控制系统
集成化全自动生长控制系统，品牌主机，高度的稳定性与可靠性，全面的数据监控系统及历史数据回溯功能，多重联锁保护与故障报警功能，工艺配方加密功能

NO.4 真空系统
工作压力范围	工作压力范围10~220Torr，自动压力控制
真空泵	24m³/h（50Hz）高抽速，双级旋片式真空泵（标配安全阀防逆流）
系统真空漏率	＜5x10^-¹⁰Pa*m³/s （氨质谱检漏仪测试）
极限真空度	<0.5Pa(标配双级旋片式真空泵) ，选配分子泵可达7×10^-³ Pa
NO.5 气路系统
标配五路进口MFC，预留拓展1路
进口半导体级气路管道、阀门、控制系统
NO.6 测温仪
高精度光纤式红外测温仪：450~1400 摄氏度
NO.7 供电、冷却系统
腔体、微波头、微波电源、沉积台等累计冷却水流量≥22L/Min；供水水压0.5~0.6Mpa；水温20~25°C；实现所有水路的水流量、温度实时监测
供电要求：AC 400V±10%，三相五线制，50Hz
功耗：满功率工况，整机功耗约10.8Kw
NO.8 系统尺寸
电气柜: 1m(长) x 0.7m（宽）x 2.1m（高）、腔体柜：0.9m(长) x 1m（宽）x 1.5m(高)

产品用途：DiaCentre-6K-D碟形腔式MPCVD系统，是生产大尺寸、高品质单晶/多晶金刚石的高性能专用装备。
产品特点：该设备采用碟形腔设计，是目前国内唯一大规模应用的碟形腔式方案，经300余台设备批量应用验证表明，具有成熟、可靠性高、批量一致性好腔体易清洁操作、可避免石英刻蚀污染、等离子体覆盖面积大的突出特点。